Die SuperGaN-basierte SiP-Familie beinhaltet
jetzt drei Bausteine und erweitert damit die Unterstützung von
Leistungsklassen für eine breitere Palette von Adaptern und
Ladegeräten der nächsten Generation
Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN), ein weltweit führender Anbieter
von robusten GaN-Leistungshalbleitern, und Weltrend Semiconductor
Inc. (TWSE: 2436) der weltweit führende Anbieter von USB Power
Delivery (PD) Controller Integrated Circuits (ICs) für Adapter,
gaben heute die Verfügbarkeit von zwei neuen GaN-System-in-Packages
(SiPs) bekannt. In Kombination mit dem im vergangenen Jahr
vorgestellten GaN-SiP-Flaggschiffprodukt von Weltrend bilden die
neuen Bauelemente die erste SiP-Produktfamilie auf Basis der
SuperGaN®-Plattform von Transphorm.
In den neuen SiPs mit den Bezeichnungen WT7162RHUG24B und
WT7162RHUG24C sind der
Hochfrequenz-Multimode-Flyback-PWM-Controller mit QR-Modus und
Valley-Switching von Weltrend und die SuperGaN-FETs von Transphorm
mit 150 mΩ bzw. 480 mΩ integriert. Wie ihr 240-mΩ-Vorgänger
(WT7162RHUG24A) lassen sich die Bausteine mit USB-PD- oder
programmierbaren Stromadapter-Controllern kombinieren und bilden so
eine Adapter-Komplettl�sung. Bemerkenswert ist, dass sie außerdem
mehrere innovative Funktionen bieten, darunter den
UHV-Valley-Tracking-Lademodus, die adaptive OCP-Kompensation und
die adaptive Green-Mode-Steuerung, die es den Anwendern
erm�glichen, qualitativ hochwertige Stromversorgungen mit dem
einfachsten Designansatz schneller und mit weniger Bauelementen zu
entwickeln.
“Die Markteinführung unseres ersten GaN-SiPs im vergangenen Jahr
war ein wichtiger Meilenstein in der Entwicklung unseres
Unternehmens. Dies war der Beginn einer neuen GTM-Strategie für den
Markt der AC/DC-Wandlerbausteine”, sagte Wayne Lo, Vice President
of Marketing von Weltrend. “Die heutige Mitteilung bestätigt, dass
wir diesen Bereich weiterhin mit einer breiteren Auswahl an
Baugruppen bedienen werden, die mehr Produktleistungsklassen
unterstützen. Eine Gesamtpaketl�sung mit der SuperGaN-Plattform von
Transphorm bietet ein einfaches Design mit unvergleichlicher
Leistung für Bausteine, die jetzt von USB-C-PD-Stromadaptern mit
gerade einmal 30 Watt bis zu Ladegeräten mit fast 200 Watt reichen
- eine einzigartige Fähigkeit der GaN-Technologie von
Transphorm.”
Die Hersteller von Endprodukten suchen nach M�glichkeiten zur
Entwicklung neuer Adapter, die geringere Stücklisten aufweisen und
Vielseitigkeit, kurze Ladezeiten sowie h�here Ausgangsleistungen
bieten. Darüber hinaus versuchen sie in vielen Fällen, universell
einsetzbare Ladegeräte mit mehreren Anschlüssen und/oder mehreren
Anschlussarten anzubieten, und all das bei einem kleinerem
Formfaktor und geringerem Gewicht.
Einige der wichtigsten Vorteile der
Normally-Off-D-Mode-SuperGaN-Plattform von Transphorm sind die im
Branchenvergleich h�chste Robustheit (+/- 20 V
Gate-Spannungsbereich mit einer St�rfestigkeit von 4 V) und
Zuverlässigkeit (< 0,05 FIT) sowie die M�glichkeit, die
Leistungsdichte gegenüber Silizium um 50 % zu erh�hen. Die
eleganten SiP-Designs von Weltrend nutzen diese Vorteile zusammen
mit den firmeneigenen innovativen Technologien, um eine quasi
Plug-and-Play-L�sung zu schaffen, die den Entwicklungsprozess
beschleunigt und zugleich den Formfaktor verkleinert.
“SiPs sind eine wichtige Option bei der Auswahl der Bauelemente,
wenn es um die Anforderungen der Adapter- und Ladegerätehersteller
geht”, sagte Tushar Dhayagude, Vice President of Worldwide Sales
and FAE von Transphorm. “Diese Systeme erfordern eine effektive
Stromumwandlung, die zwar einfach zu bedienen ist und über
integrierte Funktionen verfügt, aber auch die Lernkurven minimiert,
um eine schnelle Einarbeitung zu gewährleisten. Schon der erste
vorgestellte Baustein hat die Leistungsfähigkeit und Vielseitigkeit
des SuperGaN-SiP-Konzepts bestätigt. Die heute angekündigten neuen
Bauelemente verdeutlichen das wachsende Engagement unserer beiden
Unternehmen, den Kunden eine große Auswahl zu bieten.”
Wichtige Spezifikationen
WT7162RHUG24A
WT7162RHUG24B (neu)
WT7162RHUG24C (neu)
Rds(on)
240 mΩ
150 mΩ
480 mΩ
Vds min
650 V
Wirkungsgrad
> 93%
Leistungsdichte
26 W/in3
Max. Frequenz
180 kHz
Betrieb über weiten
Ausgangsspannungsbereich
USB-C PD 3,0 PPS 3,3 V~21 V
Gehäuse
24-poliges 8x8-QFN-Gehäuse
Schlüsselmerkmale
Merkmal
Vorteil
Einstellbare
GaN-FET-Gate-Slew-Rate-Steuerung
Ausgewogenes Verhältnis zwischen
Wirkungsgrad und EMI-Konformität
Kein externer VDD-Linearregler
erforderlich (700-V-Ultra-HV-Anlaufstrom wird direkt aus der
AC-Netzspannung abgeleitet)
Geringere Anzahl von Bauelementen
Reduzierte Gehäuseinduktivität
Maximierung der Chipleistung
Passt in ein
8x8-QFN-FF-Standardgehäuse
Erm�glicht Systeme mit flachem Profil und
geringem Platzbedarf
Zielanwendungen und Verfügbarkeit
Die SuperGaN-SiP-Familie von Weltrend ist für den Einsatz in
leistungsstarken, flachen USB-C-Netzteilen für mobile und
IoT-Geräte wie Smartphones, Tablets, Laptops, Kopfh�rer, Drohnen,
Lautsprecher, Kameras und mehr optimiert.
Weitere Spezifikationen zu den Bausteinen finden Sie in den
Datenblättern hier:
- WT7162RHUG24A (240 mΩ):
http://www.weltrend.com/en-global/product/detail/67/124/610
- WT7162RHUG24B (150 mΩ):
http://www.weltrend.com/en-global/product/detail/67/124/633
- WT7162RHUG24C (480 mΩ):
http://www.weltrend.com/en-global/product/detail/67/124/634
Die beiden neuen Bausteine (WT7162RHUG24B und WT7162RHUG24C)
werden derzeit bemustert. Wenden Sie sich an sales@weltrend.com.tw,
um weitere Informationen zu erhalten.
Über Transphorm
Transphorm, Inc., ein weltweit führendes Unternehmen in der
GaN-Revolution, entwickelt und fertigt hochleistungsfähige und
hochzuverlässige GaN-Halbleiter für Hochspannungs-Leistungswandler.
Mit einem der gr�ßten Power-GaN-IP-Portfolios von mehr als 1.000
eigenen oder lizenzierten Patenten produziert Transphorm die
branchenweit ersten JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierten
Hochspannungs-GaN-Halbleiterbauteile. Das Geschäftsmodell des
Unternehmens für vertikal integrierte Geräte f�rdert Innovationen
in allen Phasen der Entwicklung: Konstruktion, Fertigung, Geräte-
und Anwendungsunterstützung. Die Innovationen von Transphorm
bringen die Leistungselektronik über die Grenzen von Silizium
hinaus und erreichen einen Wirkungsgrad von über 99 %, eine um 50 %
h�here Leistungsdichte und 20 % niedrigere Systemkosten. Transphorm
hat seinen Hauptsitz in Goleta, US-Bundesstaat Kalifornien, und
betreibt Produktionsstätten in Goleta und Aizu, Japan. Weitere
Informationen finden Sie auf www.transphormusa.com. Folgen Sie uns
auch auf Twitter @transphormusa und WeChat unter
Transphorm_GaN.
Über Weltrend Semiconductor Inc.
Weltrend Semiconductor, Inc. (TWSE: 2436) wurde 1989 im „Silicon
Valley von Taiwan“, dem Hsinchu Science Park, gegründet und ist ein
führendes Fabless-Halbleiterunternehmen, das sich auf die Planung,
Konstruktion, Prüfung und Anwendungsentwicklung sowie den Vertrieb
von Mixed-Signal- und digitalen IC-Produkten in Netzteilen,
Motorsteuerungen, Bildverarbeitung und mehr auf vielen
Anwendungsgebieten spezialisiert hat. Weitere Informationen finden
Sie unter www.weltrend.com.
Die Marke SuperGaN ist eine eingetragene Marke von Transphorm,
Inc. Alle anderen Marken sind Eigentum ihrer jeweiligen
Inhaber.
Die Ausgangssprache, in der der Originaltext ver�ffentlicht
wird, ist die offizielle und autorisierte Version. Übersetzungen
werden zur besseren Verständigung mitgeliefert. Nur die
Sprachversion, die im Original ver�ffentlicht wurde, ist
rechtsgültig. Gleichen Sie deshalb Übersetzungen mit der originalen
Sprachversion der Ver�ffentlichung ab.
Originalversion auf businesswire.com
ansehen: https://www.businesswire.com/news/home/20240424112370/de/
Pressekontakt: Heather Ailara +1.973.567.6040
heather.ailara@transphormusa.com
Transphorm (NASDAQ:TGAN)
Historical Stock Chart
From Apr 2024 to May 2024
Transphorm (NASDAQ:TGAN)
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From May 2023 to May 2024