Transphorm auf der APEC 2024: SuperGaN Innovation für Niedrig- bis Hochspannungsanwendungen
February 06 2024 - 2:58PM
Business Wire
Silver Event Partner zeigt wachsendes
GaN-Geräteportfolio und Innovationen mit Niedrig- bis
Hochspannungsl�sungen, angefangen bei Flexiblen SuperGaN SiPs bis
hin zu bahnbrechenden 2- und 3-rädrigen elektrischen
Fahrzeugsystemen
Silver Partner Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)—global führend
bei robusten GaN-Leistungshalbleitern —hat heute angekündigt, dass
der Auftritt auf der APEC 2024 die führende Position des
Unternehmens im Bereich Breitband (niedrige bis hohe Spannung)
GaN-Spannungsumwandlung unterstreichen wird. Dank dieser
Fähigkeiten ist Transphorm das einzige GaN-Halbleiterunternehmen,
das die Vorteile der Leistung von GaN Herstellern von Systemen mit
h�herer Leistung zugänglich machen kann. Besucher k�nnen Transphorm
während der Veranstaltung vom 25. bis 29. Februar am Stand 1813
besuchen.
In diesem Jahr wird Transphorm wichtige Innovationen vorstellen.
Dazu geh�ren das erste 1200 V GaN-on-Sapphire Gerätemodell mit
führender Kurzschlussfestigkeit . Das flexible SuperGaN®
Geräteportfolio des Unternehmens wird auch im Mittelpunkt stehen.
Darin enthalten sind die vor Kurzem angekündigten Pakete TO-247-4L,
TOLL und TOLT, die eine komplette, flexible Paketauswahl für
Systeme mit hoher Spannung bieten, die unterschiedliche
Konfigurationen für die Kühlung ben�tigen. Demonstrationen vor Ort
werden die Technik des Unternehmens an den unterschiedlichsten
bahnbrechenden Stromsystemen vorführen, von der
unterbrechungsfreien Hochleistungsversorgung in beide Richtungen
bis hin zum Solarenergie-Mikro-Wechselrichter mit Unterbrechungen
sowie 2- und 3-rädrige elektrische Fahrzeugsysteme.
Transphorm’s Fähigkeit, Kunden mit überlegenen GaN-L�sungen zu
versorgen, die Wettbewerber schlagen (d.h. e-mode GaN, SiC,
silicon) ist bedingt durch die zukunftsweisende SuperGaN-Plattform,
die mit fundamentalen physikalischen Prozessen arbeitet. Transphorm
stellt eine stromlos geschaltete d-Modus GaN-Technik in Kaskade
her. Dank dieser Designkonfiguration k�nnen inhärente
Plattformphänomene optimal funktionieren. Zu diesen Phänomenen
geh�ren der 2DEG GaN HEMT-Kanal und die SiO2/Si Gate-Schnittstelle
(erstellt durch die Niedrigspannungs-MOSFET zusammen mit
Transphorm’s GaN HEMT). Hier kann das vor Kurzem vom Unternehmen
erstellte White Paper heruntergeladen werden, in dem diese Vorteile
erläutert werden: https://bit.ly/dmodeadvwp .
Eine Hauptplattform für das gesamte Leistungsspektrum
Transphorm ist der führende Hersteller von
GaN-Spannungshalbleitern, der sich durch seine Technologien
abhebt:
Produzierbarkeit: Vertikal integriert
mit EPI-Design, Wafer-Verfahren und FET-Die-Design.
Design: Angebot von bekannten
Industriestandardpaketen und Leistungspaketen und Partnerschaft mit
bekannten global führenden Unternehmen für Firmware (Microchip
Technology) und Hardwareintegration (Weltrend Semiconductor) für
reibungslosen Einbau des Designs.
Fahrbarkeit: Angebot von Geräten, die
wie Silikon betrieben werden, und die mit individuell angepassten
Steuerelementen und Treibern ausgerüstet sind und nur eine minimale
externe Schaltung ben�tigen.
Zuverlässigkeit: In der Branche noch
immer führend mit einer FIT Rate von < 0,05 über mehr als 100
Milliarden Betriebsstunden bei Niedrig- bis
Hochspannungsanwendungen.
Transphorm unterstützt heute fast alle
Stromumwandlungsanforderungen (45 W bis 10+ kW) über ein breites
Spektrum von Anwendungen hinweg. Das FET-Portfolio des Unternehmens
umfasst 650 V- und 900 V-Geräte und 1200 V-Geräte sind in
Entwicklung. Diese Geräte sind JEDEC und AEC-Q101 zertifiziert,
weshalb sie sich sowohl optimal für Spannungsadapter und Computer
PSUs als auch für breite industrielle UPSs und elektrische
Antriebssysteme für Fahrzeuge eignen. Die Auswahl an
Kundenprodukten, die auf der APEC ausgestellt werden, unterstreicht
das breite Anwendungsfeld von Transphorm’s SuperGaN-Plattform.
Präsentationen
Experten von Transphorm werden vor Ort die folgenden
Präsentationen abhalten:
Hochspannungs-GaN-Geräte und -Anwendungen
Trainingsseminar für Experten (S17): 26. Februar 26 um 8:30 Uhr
Specher: Davide Bisi, Member of Technical Staff, Office of the CTO;
Philip Zuk, SVP Business Development and Marketing; Tushar
Dhayagude, VP of Worldwide Sales and FAE
Der SuperGaN-Unterschied: Vorteile von
stromlos geschalteten d-Modus GaN-Spannungshalbleitern
Ausstellerseminar: 27. Februar um 14:15 Sprecher: Jenny Cortez,
Technical Sales Manager
GaN-Vierquadrantenschaltertechnologie für
Mikro-Wechselrichter und Motorantriebe Branchen Session (IS16.2):
28. Februar um 13:55 Uhr Sprecher: Geetak Gupta, Member of
Technical Staff, Office of the CTO
15-mΩ GaN-Gerät mit 5-μs
Kurzschluss-Widerstandszeit Branchen Session (IS22.6): 29. February
um 10:55 Uhr Sprecher: Davide Bisi, PhD, Member of Technical Staff,
Office of the CTO
Treffen Sie uns
Wenn Sie während der Messe ein Treffen mit Transphorm
vereinbaren m�chten, dann wenden Sie sich an:
vipin.bothra@transphormusa.com .
Über Transphorm
Transphorm, Inc., ein weltweit führendes Unternehmen in der
GaN-Revolution, entwickelt und fertigt hochleistungsfähige und
hochzuverlässige GaN-Halbleiter für Hochspannungs-Leistungswandler.
Mit einem der gr�ßten Power-GaN-IP-Portfolios von mehr als 1.000
eigenen oder lizenzierten Patenten produziert Transphorm die
branchenweit ersten JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierten
Hochspannungs-GaN-Halbleiterbauteile. Das Geschäftsmodell des
Unternehmens für vertikal integrierte Geräte f�rdert Innovationen
in allen Phasen der Entwicklung: Konstruktion, Fertigung, Geräte-
und Anwendungsunterstützung. Die Innovationen von Transphorm
bringen die Leistungselektronik über die Grenzen von Silizium
hinaus und erreichen einen Wirkungsgrad von über 99 %, eine um 50 %
h�here Leistungsdichte und 20 % niedrigere Systemkosten. Transphorm
hat seinen Hauptsitz in Goleta, US-Bundesstaat Kalifornien, und
betreibt Produktionsstätten in Goleta und Aizu, Japan. Weitere
Informationen finden Sie auf www.transphormusa.com . Follow us on
Twitter @transphormusa and WeChat at Transphorm_GaN.
Die Marke SuperGaN ist eine eingetragene Handelsmarke von
Transphorm, Inc. Alle anderen Handelsmarken sind das Eigentum ihrer
jeweiligen Inhaber.
Die Ausgangssprache, in der der Originaltext ver�ffentlicht
wird, ist die offizielle und autorisierte Version. Übersetzungen
werden zur besseren Verständigung mitgeliefert. Nur die
Sprachversion, die im Original ver�ffentlicht wurde, ist
rechtsgültig. Gleichen Sie deshalb Übersetzungen mit der originalen
Sprachversion der Ver�ffentlichung ab.
Originalversion auf businesswire.com
ansehen: https://www.businesswire.com/news/home/20240206908689/de/
Heather Ailara +1.973.567.6040
heather.ailara@transphormusa.com
Transphorm (NASDAQ:TGAN)
Historical Stock Chart
From Apr 2024 to May 2024
Transphorm (NASDAQ:TGAN)
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From May 2023 to May 2024