PCIM 2024: SuperGaN von Transphorm übertrifft SiC- und e-mode-GaN-Fähigkeiten in Hochleistungssystemen
May 20 2024 - 3:01PM
Business Wire
Transphorm d-mode-Plattform erm�glicht
marktübergreifende Stromversorgungssysteme mit geringeren Verlusten
und h�herer Leistung für Elektrofahrzeuge, Rechenzentren/AI und
andere Bereiche, zusammen mit wegweisenden
GaN-Produktinnovationen
Wie Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN), der weltweit führende
Anbieter robuster GaN-Leistungshalbleiter, heute mitteilte, wird
die PCIM 2024 die Fähigkeit des Unternehmens demonstrieren,
Wettbewerbertechnologien mit breitem Bandabstand in
Hochleistungssystemen zu übertreffen. Beispielsweise bietet die
SuperGaN®-Plattform von Transphorm im Normalbetrieb eine h�here
Elektronenbeweglichkeit, durch die Übergangsverluste gegenüber
Siliziumkarbid reduziert werden. Dadurch ist die Plattform eine
kosteneffizientere und leistungsstärkere L�sung für verschiedene
Elektrofahrzeuge, Rechenzentren/AI, Infrastruktur, erneuerbare
Energien und weitere vielfältige industrielle Anwendungsbereiche.
Um mehr zu erfahren, besuchen Sie Transphorm bei der PCIM vom 11.
bis 13. Juni 2024, in Halle 7, Stand 108.
Transphorm SuperGaN FETs werden in einer Vielzahl von
Kundenprodukten eingesetzt, die das gesamte Leistungsspektrum
abdecken – von Netzteilen mit einer Leistung von 45 W bis hin zu
Netzteilen mit 7,5 kW. Viele dieser Kundenprodukte sind die ersten
�ffentlich anerkannten GaN-basierten Systeme ihrer Art und
demonstrieren auf einzigartige Weise die Vorteile, die nur dank der
SuperGaN-Plattform m�glich wurden. Zu den Beispielen geh�rt das
oben erwähnte flüssigkeitsgekühlte 7,5-kW-Netzteil für
unternehmenskritische Rechenzentrums- und Blockchain-Anwendungen,
ein 2,7-kW-Server-CRPS mit einer Leistungsdichte von >82
W/Kubikzoll (die h�chste in einem kommerziell erhältlichen
GaN-Stromversorgungssystem) sowie 2,2-kW- und
3-kW-unterbrechungsfreie 1U-Stromversorgungen (USV) zur
Rackmontage. Mit diesen Design-Wins beweist Transphorm seine
Fähigkeit, die Anwendungsm�glichkeiten für GaN auf verschiedenen
Märkte zu erweitern, die bis 2028 für GaN einen geschätzten
adressierbaren Gesamtmarkt von 8 Milliarden US-Dollar
aufweisen.
Neben den praxistauglichen Kundenprodukten erzielt Transphorm
weiterhin technologische Durchbrüche und hat zuletzt eine
Kurzschlussfestigkeit von 5 Mikrosekunden, einen bidirektionalen
Vier-Quadranten-Schalter und ein 1200-V-GaN-on-Sapphire-Bauelement
vorgestellt.
Zu den Vor-Ort-Demonstrationen zählen Transphorm-L�sungen zum
Einsatz in Ladegeräten für 2- und 3-Rad-Elektrofahrzeuge sowie
Kundennetzteile für Erneuerbare-Energien-Systeme, Rechenzentren und
vieles mehr.
Vortrag
Erfahren Sie mehr darüber, wie die GaN-L�sungen von Transphorm
Technologien von Wettbewerbern übertreffen und
branchenübergreifende Innovationen erm�glichen, bei Bodo’s Power
Systems-Session.
Podiumsdiskussion:
GaN-Wide-Bandgap-Design – die Zukunft der Stromversorgung
Redner: Philip Zuk, Senior Vice President,
Geschäftsentwicklung und Marketing Datum: 12. Juni
Uhrzeit: 14.20 bis 15.20 Uhr MESZ Ort: Halle 7, Stand
743
Eine Kernplattform für das gesamte Leistungsspektrum
Transphorm ist das führende Unternehmen für
GaN-Leistungshalbleiter und bietet Technologien mit folgenden
Vorteilen:
Herstellbarkeit: Vertikal integriert
mit eigenem EPI-Design, Wafer-Prozess und FET Die-Design.
Designbarkeit: Wir bieten bekannte Industriestandard- und
Leistungspakete an und kooperieren mit globalen Kunden, um die
Systementwicklung zu vereinfachen und zu beschleunigen.
Treiberfähigkeit: Die Geräte werden wie Silizium angesteuert
und lassen sich mit handelsüblichen Controllern und Treibern
kombinieren. Dabei werden nur minimale externe Schaltungen
ben�tigt. Zuverlässigkeit: Nach wie vor branchenführend mit
einer aktuellen FIT-Rate von <0,05 bei mehr als 300 Milliarden
Betriebsstunden in Anwendungen mit niedriger bis hoher
Leistung.
Treffen Sie uns
Um einen Termin mit Transphorm während der Messe zu vereinbaren,
wenden Sie sich bitte an vipin.bothra@transphormusa.com.
Über Transphorm
Transphorm, Inc., ein weltweit führendes Unternehmen in der
GaN-Revolution, entwickelt und fertigt hochleistungsfähige und
hochzuverlässige GaN-Halbleiter für Hochspannungs-Leistungswandler.
Mit einem der gr�ßten Power-GaN-IP-Portfolios von mehr als 1.000
eigenen oder lizenzierten Patenten produziert Transphorm die
branchenweit ersten JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierten
Hochspannungs-GaN-Halbleiterbauteile. Das Geschäftsmodell des
Unternehmens für vertikal integrierte Geräte f�rdert Innovationen
in allen Phasen der Entwicklung: Konstruktion, Fertigung, Geräte-
und Anwendungsunterstützung. Die Innovationen von Transphorm
bringen die Leistungselektronik über die Grenzen von Silizium
hinaus und erreichen einen Wirkungsgrad von über 99 %, eine um 50 %
h�here Leistungsdichte und 20 % niedrigere Systemkosten. Transphorm
hat seinen Hauptsitz in Goleta, US-Bundesstaat Kalifornien, und
betreibt Produktionsstätten in Goleta und Aizu, Japan. Weitere
Informationen finden Sie auf www.transphormusa.com. Folgen Sie uns
auch auf Twitter @transphormusa und WeChat unter
Transphorm_GaN.
Die Marke SuperGaN ist eine eingetragene Handelsmarke von
Transphorm, Inc. Alle anderen Handelsmarken sind das Eigentum ihrer
jeweiligen Inhaber.
Die Ausgangssprache, in der der Originaltext ver�ffentlicht
wird, ist die offizielle und autorisierte Version. Übersetzungen
werden zur besseren Verständigung mitgeliefert. Nur die
Sprachversion, die im Original ver�ffentlicht wurde, ist
rechtsgültig. Gleichen Sie deshalb Übersetzungen mit der originalen
Sprachversion der Ver�ffentlichung ab.
Originalversion auf businesswire.com
ansehen: https://www.businesswire.com/news/home/20240520001814/de/
Heather Ailara +1.973.567.6040
heather.ailara@transphormusa.com
Transphorm (NASDAQ:TGAN)
Historical Stock Chart
From Aug 2024 to Sep 2024
Transphorm (NASDAQ:TGAN)
Historical Stock Chart
From Sep 2023 to Sep 2024