TSMC stellt den verbesserten N3P-Prozess, HPC-fokussierten N3X-Prozess und das N3AE Auto Early-Programm vor und informiert über Fortschritte bei 2nm und TSMC 3DFabric™

TSMC (TWSE: 2330, NYSE: TSM) präsentierte heute seine jüngsten technologischen Entwicklungen auf dem North America Technology Symposium 2023, darunter Fortschritte bei der 2nm-Technologie und neue Mitglieder seiner branchenführenden 3nm-Technologiefamilie mit einer Palette von Prozessen, die auf die unterschiedlichen Kundenanforderungen abgestimmt sind. Dazu geh�ren N3P, ein verbesserter 3nm-Prozess für mehr Energie, Leistung und Dichte, N3X, ein Prozess, der auf HPC-Anwendungen (High Performance Computing) zugeschnitten ist, und N3AE, der einen frühen Start von Automobilanwendungen auf der modernsten Siliziumtechnologie erm�glicht.

Das North America Technology Symposium in Santa Clara, Kalifornien, zu dem sich mehr als 1.600 Kunden und Partner angemeldet haben, ist das erste von mehreren TSMC-Technologie-Symposien, die in den kommenden Monaten weltweit abgehalten werden. Auf dem North America Symposium findet sich auch eine Innovation Zone, in der die spannenden Technologien von 18 aufstrebende Start-up-Kunden im Rampenlicht stehen.

„Unsere Kunden entdecken immer wieder neue M�glichkeiten, wie sich die Stärke von Silizium für Innovationen nutzen lässt, die die Welt in Erstaunen versetzen und für eine bessere Zukunft sorgen“, so Dr. C.C. Wei, CEO von TSMC. „Ebenso kennt TSMC keinen Stillstand, und wir verbessern und entwickeln unsere Prozesstechnologien mit mehr Leistung, Energieeffizienz und Funktionalität weiter, so dass ihre Innovationspipeline noch viele Jahre sprudeln kann.”

Zu den auf dem Symposium präsentierten Schlüsseltechnologien geh�ren:

Breiteres 3nm-Portfolio: N3P, N3X und N3AE – Mit der 3nm-Technologie, die jetzt mit dem N3-Prozess in Serie produziert wird, und der verbesserten N3E-Version, die für 2023 vorgesehen ist, erweitert TSMC die Roadmap um neue Varianten, mit denen die unterschiedlichen Bedürfnisse der Kunden erfüllt werden k�nnen.

  • N3P, das in der zweiten Hälfte des Jahres 2024 in Produktion gehen soll, bietet zusätzliche Vorteile gegenüber N3E: 5 % mehr Geschwindigkeit bei gleicher Leckage, 5-10 % weniger Stromverbrauch bei gleicher Geschwindigkeit und eine 1,04-fach h�here Chipdichte.
  • N3X, das vorrangig auf Leistung und maximale Taktfrequenzen für HPC-Anwendungen ausgelegt ist, bietet 5 % mehr Geschwindigkeit im Vergleich zu N3P bei einer Ansteuerspannung von 1,2 V und der gleichen verbesserten Chipdichte wie N3P und wird 2025 in die Serienproduktion gehen.
  • N3AE bzw. „Auto Early”, das ab 2023 verfügbar ist, bietet Prozessdesign-Kits (PDKs) für die Automobilindustrie auf der Basis von N3E und erm�glicht es Kunden, Designs auf dem 3nm-Knoten für Automobilanwendungen zu starten, was 2025 zum vollständig automobilqualifizierten N3A-Prozess führt.

2nm-Technologie macht gute Fortschritte – Die Entwicklung der 2nm-Technologie von TSMC, bei der Nanoblech-Transistoren zum Einsatz kommen, macht solide Fortschritte sowohl bei der Ausbeute als auch bei der Leistung der Bauelemente und liegt auf Kurs für die Produktion im Jahr 2025. Es bietet eine Geschwindigkeitsverbesserung von bis zu 15 % gegenüber N3E bei gleicher Leistung und eine Stromeinsparung von bis zu 30 % bei gleicher Geschwindigkeit sowie eine mehr als 1,15-fache Chipdichte.

N4PRF setzt die Grenzen der CMOS-RF-Technologie neu fest – Abgesehen von der für 2021 angekündigten N6RF-Technologie entwickelt TSMC N4PRF, die branchenweit fortschrittlichste CMOS-Hochfrequenztechnologie für digital-intensive RF-Anwendungen wie WiFi 7 RF System-on-Chip. N4PRF unterstützt eine 1,77-fach h�here Logikdichte und 45 % weniger Logik-Stromverbrauch bei gleicher Geschwindigkeit im Vergleich zu N6RF.

3DFabric™ von TSMC - Packaging und Silizium-Stacking auf dem neuesten Stand – Zu den wichtigsten neuen Entwicklungen bei den 3DFabric-Systemintegrationstechnologien von TSMC geh�ren:

  • Hochentwickeltes Packaging – Um den Anforderungen von HPC-Anwendungen gerecht zu werden, mehr Prozessoren und Speicher in einem einzigen Paket unterzubringen, entwickelt TSMC eine Chip on Wafer on Substrate (CoWoS)-L�sung mit einem bis zu sechsmal gr�ßeren RDL-Interposer (rund 5.000 mm2), der 12 Stacks HBM-Speicher beherbergen kann.
  • 3D-Chip-Stacking – TSMC präsentierte SoIC-P, Microbump-Versionen seiner System on Integrated Chips (SoIC)-L�sungen, die eine kostengünstige M�glichkeit für 3D-Chip-Stacking bieten. SoIC-P ergänzt die bestehenden Bumpless-L�sungen von TSMC für High-Performance-Computing (HPC)-Anwendungen, die nun unter der Bezeichnung SoIC-X geführt werden.
  • Design-Unterstützung – SMCL hat 3Dblox™ 1.5 eingeführt, die neueste Version seiner offenen Standard-Designsprache, die den Einstieg in das 3D-IC-Design erleichtert. 3Dblox™ 1.5 bringt zusätzlich die automatisierte Bump-Synthese und hilft Entwicklern, die Komplexität großer Chips mit Tausenden von Bumps zu bewältigen und die Entwicklungszeiten um Monate zu verkürzen.

Über TSMC

TSMC war ein Pionier des Pure-Play-Foundry-Geschäftsmodells, das 1987 ins Leben gerufen wurde, und ist seither die weltweit führende Halbleiter-Foundry. Mit branchenführenden Prozesstechnologien und einem Portfolio an Design-Enablement-L�sungen unterstützt das Unternehmen ein florierendes Ökosystem von globalen Kunden und Partnern, um das Innovationspotenzial in der globalen Halbleiterindustrie freizusetzen. TSMC ist ein auf der ganzen Welt engagiertes Unternehmen mit Betrieben in Asien, Europa und Nordamerika.

Im Jahr 2022 setzte TSMC 288 verschiedene Prozesstechnologien ein und fertigte 12.698 Produkte für 532 Kunden, indem es eine breite Palette an fortschrittlichen, Spezial- und hochmodernen Packaging-Technologien anbot. Das Unternehmen hat seinen Hauptsitz in Hsinchu, Taiwan. Weitere Informationen finden Sie unter https://www.tsmc.com.

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