Die SuperGaN-FETs von Transphorm betreiben das hocheffiziente Netzgerät von Boco Electronics für den Bereich Krypto-Mining
March 22 2022 - 6:02PM
Business Wire
GaN-Bauteile für hochleistungsfähige,
geschäftskritische Anwendungen sorgen für eine hohe Zuverlässigkeit
des 3,6-kW-Netzteils bei niedrigeren Gesamtsystemkosten
Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) – ein Vorreiter und weltweiter
Lieferant von hochzuverlässigen, leistungsstarken
Galliumnitrid-Produkten („GaN“) für die Stromumwandlung – gab heute
zusammen mit Boco Electronics bekannt, dass das 3,6 kW-Netzteil des
Elektronikunternehmens SuperGaN®-FETs verwendet. Das solide
12-Volt-AC/DC-Netzteil erreicht einen Spitzenwirkungsgrad von mehr
als 96 % und ist für den Einsatz in extremen Umgebungen konzipiert,
die durch besonders anspruchsvolle Anwendungen wie
Krypto-Mining-Anlagen und Hochleistungs-Rechenzentrumssysteme
bedingt sind. Dank der SuperGaN-Bauelemente von Transphorm in einer
patentierten überbrückungsfreien Totem-Pole-PFC-Topologie liegt der
Wirkungsgrad um fast 1 Prozent h�her oder 36 Watt niedriger als der
von Boco Electronics in konventionellen PFC-Konfigurationen
erzielte Stromverbrauch. Die Totem-Pole-PFC-Topologie in
Kombination mit dem TO-247-Gehäuse des FET erm�glicht außerdem eine
Verringerung der Anzahl der Komponenten des gesamten
Stromversorgungssystems, wodurch sich wiederum die Gesamtkosten des
Systems verringern.
„Mining-Anlagen laufen 24 Stunden am Tag, sieben Tage die Woche.
Daher ben�tigen unsere Kunden Netzteile mit h�herer Leistung,
h�herem Wirkungsgrad und h�herer Zuverlässigkeit, um diese
intensiven Anwendungen zu unterstützen“, sagte Golden Yin, CEO von
Hangzhou Boco Electronics Co., LTD. „Wir wussten, dass wir diese
Anforderungen erfüllen konnten, wenn wir unsere hervorragenden
Designfähigkeiten mit fortschrittlichen GaN-L�sungen
zusammenbringen. Während GaN im Allgemeinen die richtige
Technologie darstellt, waren die SuperGaN-Produkte von Transphorm
die richtigen Geräte. Sie erwiesen sich als deutlich besser
geeignet für die h�heren Leistungsstufen und boten im Vergleich zu
alternativen Optionen die für solche industriellen Anwendungen
erforderliche h�here Zuverlässigkeit im Feld.“
Bei dem für die Stromversorgung verwendeten
Transphorm-Bauelement handelt es sich um das JEDEC-zertifizierte
TP65H035G4WS, ein normally-off 650-Volt-Bauelement mit einem
Durchlasswiderstand von 35 Milliohm. Als Teil der SuperGaN Gen
IV-Produktfamilie bietet es eine branchenführende Gate-Festigkeit
von ±20 Volt mit dem branchenweit besten Schwellenwert für
St�rfestigkeit von 4 Volt.
Dank schnellerer Schaltvorgänge und geringerer Verluste ersetzt
die GaN-Technologie von Transphorm die konventionellen MOSFETs, die
von Boco Electronics in ähnlichen Netzteilen eingesetzt werden.
Darüber hinaus kann Boco Electronics die moderne Totem-Pole-PFC
anstelle von Interleaving-H-PFC (Vollbrücke) oder
Interleaving-DCM-PFC verwenden. Die resultierende Leistungsdichte
des Systems wurde erh�ht, so dass mehr Platz für einen gr�ßeren
Kühlluftstrom zur Verfügung steht. Die Entwicklung des Netzteils
dauerte nur sechs Monate und steht im Einklang mit der einfachen
Ansteuerbarkeit und Designfähigkeit, die für die Geräte von
Transphorm typisch sind.
„Leistungsintensive Anwendungen wie das Krypto-Mining, bei denen
komplexe mathematische Probleme gel�st und gleichzeitig riesige
Datenmengen verarbeitet werden, werden immer teurer, sowohl in
Bezug auf die Hardware als auch auf die Energieressourcen. Aufgrund
regulatorischer Änderungen1 sind Mining-Farmen, die früher von der
Unterstützung der �rtlichen Regierung und der günstigeren
Energieversorgung durch Wasserkraft in China profitierten, nun
gezwungen, ihren Standort zu verlagern“, sagte Kenny Yim, Vice
President des Bereichs Asia Pacific Sales bei Transphorm. „Folglich
beobachten wir, dass sich die Hersteller entsprechender
Hochleistungssysteme GaN zunutze machen, um mit deutlich besserer
Leistung und Effizienz gegen h�here Strompreise anzukämpfen. Wir
sind stolz darauf, diesen Trend zu unterstützen, indem wir unsere
GaN-Plattform weiter stärken und ausbauen.“
Die Rolle von Transphorm im Produktentwicklungsprozess von Boco
Electronics ging über die Lieferung von Transistoren hinaus. Das
technische Supportteam des Halbleiterunternehmens hat mit dem
Entwicklungsteam von Boco Electronics bei Designprüfungen
zusammengearbeitet, um sicherzustellen, dass die GaN-Technologie
für die bestm�gliche Leistungsfähigkeit optimiert wurde.
Verfügbarkeit
Das 3,6-kW-Netzteil ist aktuell verfügbar.
Über Transphorm
Transphorm, Inc., ein weltweit führendes Unternehmen im Bereich
der GaN-Revolution, entwickelt und fertigt hochleistungsfähige und
hochzuverlässige GaN-Halbleiter für
Hochspannungs-Stromwandlungsanwendungen. Mit einem der gr�ßten
Portfolios an geistigem Eigentum im Bereich Energie-GaN von mehr
als 1.000 eigenen oder lizenzierten Patenten produziert Transphorm
die branchenweit ersten JEDEC- und AEC-Q101-zertifizierten
Hochspannungs-GaN-Halbleiterbauelemente. Das vertikal integrierte
Geräte-Geschäftsmodell des Unternehmens erm�glicht Innovation in
jeder Entwicklungsphase: Design, Herstellung, Geräte- und
Anwendungssupport. Die Innovationen von Transphorm führen die
Leistungselektronik über die Grenzen von Silizium hinaus und
erreichen einen Wirkungsgrad von über 99 %, 40 % mehr Energiedichte
und 20 % niedrigere Systemkosten. Transphorm hat seinen Hauptsitz
in Goleta, Kalifornien, und verfügt über Produktionsstätten in
Goleta und Aizu, Japan. Weitere Informationen finden Sie auf
www.transphormusa.com. Folgen Sie uns auf Twitter @transphormusa
und WeChat @ Transphorm_GaN.
Die SuperGaN-Marke ist eine eingetragene Marke von Transphorm,
Inc. Alle anderen Marken sind Eigentum ihrer jeweiligen
Inhaber.
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1 Feng, Coco. „Chinese bitcoin miner exodus faces hurdles as
equipment remains stuck from shipment delays, tariffs and legal
quagmire.” („Der Exodus chinesischer Bitcoin-Miner st�ßt auf
Hürden, da die Geräte aufgrund von Verz�gerungen bei der
Auslieferung, Z�llen und juristischen Schwierigkeiten
festsitzen“)South China Morning Post, 12. Feb. 2022.
Die Ausgangssprache, in der der Originaltext ver�ffentlicht
wird, ist die offizielle und autorisierte Version. Übersetzungen
werden zur besseren Verständigung mitgeliefert. Nur die
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Heather Ailara 211 Communications +1.973.567.6040
heather@211comms.com
Transphorm (NASDAQ:TGAN)
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